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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JF (Wang Jian-Feng);  Zhang BS (Zhang Bao-Shun);  Zhang JC (Zhang Ji-Cai);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Chen J (Chen Jun);  Liu W (Liu Wei);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Yao DZ (Yao Duan-Zheng);  Yang H (Yang Hui);  Wang, JF, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. E-mail: wlino@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张韬;  伞海生;  温继敏;  刘宇;  刘超;  陈伟;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋海鹏;  温继敏;  陈城;  祝宁华
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