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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui LJ;  Zeng YP;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Lin LY;  Jiang CP;  Guo SL;  Chu JH;  Cui LJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Lab,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张秀兰;  张富强;  宋书林;  陈诺夫;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王永谦;  廖显伯;  刁宏伟;  程文超;  李国华;  陈长勇;  张世斌;  徐艳月;  陈维德;  孔光临
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈敦军;  毕朝霞;  沈波;  张开骁;  顾书林;  张荣;  施毅;  胡立群;  郑有（火+斗）;  孙学浩;  万寿科;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙殿照;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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