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| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 伊晓燕 ; 王良臣; 王国宏; 李晋闽
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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu NH; Li W; Wang LX; Chen SF; Ke JH; Zhang YL; Wen JM; Liu Y; Wang X; Yan HQ; Xie L; Zhu NH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoclect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn; liwei05@semi.ac.cn; lxwang@semi.ac.cn; sfchen@semi.ac.cn; jhke@semi.ac.cn; ylzhang@semi.ac.cn; jmwen@semi.ac.cn; yliu@semi.ac.cn; wxin@semi.ac.cn; Xiel@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB; Chen J Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: ewjfan@ntu.edu.sg
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB; Fan WJ Nanyang Technol Univ Sch Elect & Elect Engn Singapore 639798 Singapore. E-mail Address: ewjfan@ntu.edu.sg
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu JZ; Zhu XF; Chen SY Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Fujain Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR; Hu M; Wang XD; Li GK; Ji A; Yang FH; Liu J; Wu NJ; Chen HD; Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Z; Zhang R; Xie ZL; Liu B; Li M; Fu DY; Fang HN; Xiu XQ; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Tang CG; Wang ZG; Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen R; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu; JZ; Zhu XF; Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li YH; Walsh A; Chen SY; Yin WJ; Yang JH; Li JB; Da Silva JLF; Gong XG; Wei SH; Li YH Fudan Univ Dept Phys Shanghai 200433 Peoples R China. E-mail Address: a.walsh@ucl.ac.uk; swei@nrel.gov
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