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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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一种探测功率范围可调的光电探测器及其列阵 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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波导型偏振模式分离器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-09-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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具有自动调节功能的光学衰减器模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-07-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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多模干涉型光学衰减器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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The plasmon resonance absorption of Ag/SiO2 nanocomposite films 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Yang L;  Liu YL;  Wang QM;  Shi HZ;  Li GH;  Zhang LD;  Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Ag/sio2 Nanocomposite Film  Plasmon Resonance Absorption  Mie Theory  Surface Resonance State  Quantum Size Effect  Image-potential States  Optical-properties  Surfaces  Lifetimes  Particles  Electron  Ag  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song SL;  Chen NF;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JL;  Li SS;  Niu ZC;  Yang FH;  Feng SL;  Liu JL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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