×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [18]
作者
魏学成 [4]
肖红领 [2]
段瑞飞 [1]
魏同波 [1]
王翠梅 [1]
王保柱 [1]
更多...
文献类型
期刊论文 [9]
专利 [7]
会议论文 [2]
发表日期
2006 [18]
语种
中文 [14]
英语 [4]
出处
半导体学报 [5]
中国激光 [2]
2006 1st I... [1]
PHYSICA ST... [1]
Silicon Ca... [1]
人工晶体学报 [1]
更多...
资助项目
收录类别
CSCD [8]
CPCI-S [2]
SCI [1]
资助机构
Aixtron.; ... [1]
IEEE. [1]
中国科学院知识创新工... [1]
中国科学院知识创新工... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共18条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2006
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘喆
;
王军喜
;
钟兴儒
;
李晋闽
;
曾一平
;
段瑞飞
;
马平
;
魏同波
;
林郭强
Adobe PDF(457Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1546/189
  |  
提交时间:2009/06/11
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
冉军学
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(335Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1218/193
  |  
提交时间:2009/06/11
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(830Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:960/142
  |  
提交时间:2009/06/11
蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郭伦春
;
王晓亮
;
王军喜
;
肖红领
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(551Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1182/206
  |  
提交时间:2009/06/11
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(411Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:957/183
  |  
提交时间:2009/06/11
一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(1125Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:971/150
  |  
提交时间:2009/06/11
降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高欣
;
孙国胜
;
李晋闽
;
王雷
;
赵万顺
Adobe PDF(499Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1276/188
  |  
提交时间:2009/06/11
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(981Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1296/203
  |  
提交时间:2010/03/29
Homoepitaxial Growth
Low-pressure Hot-wall Cvd
Structural And Optical Characteristics
Intentional Doping
Schottky Barrier Diodes
Synthesis of GaN nanorods with vertebra-like morphology
会议论文
2006 1st IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, Zhuhai, PEOPLES R CHINA, JAN 18-21, 2006
作者:
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3971Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1229/240
  |  
提交时间:2010/03/29
Gan Nanorods
Ga2o3/zno Films
Nitritding
Morphology
Chemical-vapor-deposition
Films
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Yan, FW (Yan, Fawang)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Yan, JC (Yan, Jianchang)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
Adobe PDF(270Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1243/412
  |  
提交时间:2010/03/29