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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Cui CX;  Xu B;  Yu LK;  Lei W;  Sun J;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhao_chang@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林涛;  郑凯;  王翠鸾;  王俊;  王勇刚;  仲莉;  冯小明;  马骁宇
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