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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  张广泽;  张洪波;  马骁宇;  李献杰
Adobe PDF(355Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：860/264  |  提交时间：2010/11/23