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一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张子旸;  王占国;  徐波;  金鹏;  刘峰奇
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  韩培德;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Liu HY;  Zhang ZY;  Shi GX;  Zhang CL;  Wang YL;  Liu FQ;  Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Dots  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun ZZ;  Yoon SF;  Wu J;  Wang ZG;  Yoon, SF, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Nanyang Ave, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: esfyoon@ntu.edu.sg
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Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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Short-period Superlattices  Raman-scattering  Quantum-wells  Growth  Roughness  Segregation  Alas/gaas  Alas  Gaas  
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye, XL;  Chen, YH;  Xu, B;  Zeng, YP;  Wang, ZG;  Ye, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Wang ZG;  Xu B;  Jin P;  Sun ZZ;  Liu FQ;  Zhang, ZY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangzy@red.semi.ac.cn
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