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生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  刘祥林;  董向芸;  魏宏源;  王占国
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用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丛光伟;  彭文琴;  吴洁君;  魏宏源;  刘祥林;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ (Wu Jiejun);  Han XX (Han Xiuxun);  Li JM (Li Jiemin);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Cong GW (Cong Guangwei);  Liu XL (Liu Xianglin);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Jia QJ (Jia Quanjie);  Guo LP (Guo Liping);  Hu TD (Hu Tiandou);  Wang HH (Wang Huanhua);  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiejunw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cong GW;  Peng WQ;  Wei HY;  Han XX;  Wu JJ;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Lu JG;  Ye ZZ;  Zhu LP;  Qian HJ;  Su R;  Hong CH;  Zhong J;  Ibrahim K;  Hu TD;  Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gwcong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ;  Li JM;  Cong GW;  Wei HY;  Zhang PF;  Hu WG;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Jia QJ;  Gu LP;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiejunw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cong GW;  Peng WQ;  Wei HY;  Liu XL;  Wu JJ;  Han XX;  Zhu QS;  Wang ZG;  Ye ZZ;  Lu JG;  Zhu LP;  Qian HJ;  Su R;  Hong CH;  Zhong J;  Ibrahim K;  Hu TD;  Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gwcong@semi.ac.cn
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