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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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High-Q and High-extinction-ratio Microdisk Add-drop Filter with Grating Couplers in Silicon-on-Insulator 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Li YT (Li Yuntao);  Xiao X (Xiao Xi);  Huang QZ (Huang Qingzhong);  Li ZY (Li Zhiyong);  Yu YD (Yu Yude);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Li, YT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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