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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tian, Xiaorang;   Meng, Chuizhou;   Zhao, Xin;   Liu, Bing;   Zhao, Guanchao;   Nie, Ge;   Yang, Guoyun;   Zhang, Guosong;   Han, Peide
Adobe PDF(4361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2022/07/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan, Yujie;  Han, Peide;  Liang, Peng;  Xing, Yupeng;  Ye, Zhou;  Hu, Shaoxu
Adobe PDF(928Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1032/446  |  提交时间：2013/10/10
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xing Yupeng;  Han Peide;  Fan Yujie;  Wang Shuai;  Liang Peng;  Ye Zhou;  Hu Shaoxu
Adobe PDF(796Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：464/112  |  提交时间：2014/04/30
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, Shaoxu;  Han, Peide;  Wang, Shuai;  Mao, Xue;  Li, Xinyi;  Gao, Lipeng
Adobe PDF(487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：620/146  |  提交时间：2013/05/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu SX (Hu, Shaoxu);  Han PD (Han, Peide);  Wang S (Wang, Shuai);  Mao X (Mao, Xue);  Li XY (Li, Xinyi);  Gao LP (Gao, Lipeng)
Adobe PDF(633Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：925/322  |  提交时间：2013/03/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, Xiaoning;  Zhu, Hongliang;  Liu, Dewei;  Huang, Yongguang;  Wang, Xiyuan;  Yu, Haijuan;  Wang, Shuai;  Lin, Xuechun;  Han, Peide
Adobe PDF(1110Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1062/266  |  提交时间：2013/05/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao LP;  Han PD;  Mao X;  Fan YJ;  Hu SX;  Zhao CH;  Mi YH;  Han, PD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. pdhan@semi.ac.cn
Adobe PDF(639Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1406/455  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye ZC (Ye Zhicheng);  Han PD (Han Peide);  Zhao CH (Zhao Chunhua);  Quan YJ (Quan Yujun);  Lu XD (Lu Xiaodong);  Wu L (Wu Li);  Ye, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Qinghua E Rd Jia 35, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhch@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1076/239  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye ZC;  Han PD;  Zhao CH;  Wang HJ;  Wu L;  Quan YJ;  Lu XD;  Hu XW;  Ye, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Qinghua E Rd,Jia 35, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yzhch@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(2616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：919/207  |  提交时间：2010/04/11
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1506/329  |  提交时间：2010/10/29
Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets