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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李士颜
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高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基iii-v族异质外延  Si基高迁移率iii-v族mosfet  纳米激光器  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiangting Kong;  Xuliang Zhou;  Shiyan Li;  Hudong Chang;  Honggang Liu;  Jing Wang;  Renrong Liang;  Wei Wang;  Jiaoqing Pan
Adobe PDF(2100Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：216/3  |  提交时间：2016/03/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XL;  Lu, D;  Zhang, RK;  Wang, W;  Ji, C
Adobe PDF(507Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：523/92  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XL;  Lu, D;  Zhang, RK;  Wang, W;  Ji, C
Adobe PDF(507Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：710/145  |  提交时间：2015/03/20