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硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨巧林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan, D;  Wang, SL;  Wang, HL;  Yu, XZ;  Wang, XL;  Zhao, JH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao, YF;  Cai, KM;  Li, LJ;  Lu, WJ;  Sun, YP;  Wang, KY
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