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硅基锗锡材料的生长及探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  赵越
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硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨巧林
Adobe PDF(2585Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：297/1  |  提交时间：2021/06/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Xiangquan;   Zheng, Jun;   Zhao, Yue;   Li, Mingming;   Peng, Linzhi;   Wan, Fengshuo;   Niu, Chaoqun;   Liu, Zhi;   Zuo, Yuhua;   Xue, Chunlai;   Cheng, Buwen
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