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| 折射面入光探测器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12 发明人: 廖栽宜; 张云霄; 周 帆; 赵玲娟; 王 圩 Adobe PDF(632Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1580/310  |  提交时间:2010/08/12 |
| MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韦欣 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1190/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美 Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1069/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157652.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 胡理科; 熊聪; 祁琼; 王冠; 马骁宇; 刘素平 Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1750/283  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1903/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1475/280  |  提交时间:2011/08/31 |
| 发光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜 Adobe PDF(162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1809/390  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1592/227  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1223/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽 Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1302/223  |  提交时间:2011/08/31 |