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GaN 基激光器结构设计与发光特性研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  侯玉菲
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无权访问的条目 学位论文
作者:  李婧
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高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  江德生
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基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生
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InGaN量子点的外延结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生
Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：374/2  |  提交时间：2016/09/12