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| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
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| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
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| 改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张曙光; 张兴旺; 尹志岗; 董敬敬; 游经碧
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| 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 王维颖; 毛德丰; 李维; 金鹏; 王占国
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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| 可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉
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| 阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉
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| 碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉
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| AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国
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