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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng Da-Nong;   Su Xiang-Bin;   Xu Ying-Qiang;   Niu Zhi-Chuan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan, Shaolong;   Huang, Jianliang;   Zhang, Yanhua;   Ma, Wenquan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Guo-Shuai;   Hao Rui-Ting;   Guo Jie;   Ma Xiao-Le;   Li Xiao-Ming;   Li Yong;   Chang Fa-Ran;   Zhuang Yu;   Wang Guo-Wei;   Xu Ying-Qiang;   Niu Zhi-Chuan;   Wang Yao
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