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在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  高福宝;  陈诺夫;  吴金良;  刘 磊 
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锰掺杂锑化镓晶体的性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  陈晓锋
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  梁平;  王晓晖
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锑化镓单晶的制备 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1988
作者:  焉秋鸣
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