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| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998 发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊 Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/232  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1248/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1261/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1133/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 白一鸣; 梁平; 王晓晖 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德 Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1348/221  |  提交时间:2011/08/31 |