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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
黑磷薄膜的磁输运与磁光性质 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  周小英
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黑磷薄膜  Kp 微扰方法  线性响应理论  朗道能级  磁输运性质  磁光性质  有效g因子  
拓扑半金属的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孙建鹏
Adobe PDF(58554Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：943/28  |  提交时间：2017/06/05