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64×64 InGaAs InP单光子探测雪崩焦平面阵列芯片的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  王帅
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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李慧梅
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Ingaas/inp Apd  Ingaas/inalas Apd  增益  暗电流  击穿电压  扩散zn掺杂  
VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
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锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主