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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  闫果果
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金属有机物化学沉积设备的反应室 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033963.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  胡国新;  肖红领;  殷海波;  张露;  李晋闽
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