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| 一种基于梯形势垒结构的增强型高迁移率场效应晶体管结构 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 谈笑天
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟
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| 内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管的光电特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 曾宇昕
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张恩霞; 钱聪; 张正选; 王曦; 张国强; 李宁; 郑中山; 刘忠立
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 昝育德; 王俊; 李瑞云; 韩秀峰; 王建华; 于芳 ; 刘忠立; 王玉田; 王占国; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙殿照; 胡国新; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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