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N型注入4H-SiC脉冲激光退火激活研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  武婧敏
Adobe PDF(5212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：318/3  |  提交时间：2022/07/15
4H-SiC UMOSFET关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  刘敏
Adobe PDF(5200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：519/21  |  提交时间：2019/11/18