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电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  汪洋;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175445.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  朱洪亮;  张兴旺;  朱小宁;  刘德伟;  马丽;  黄永光
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具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘德伟;  黄永光;  朱小宁;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910243745.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  王佐才;  金鹏;  王占国
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ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26
发明人:  谢辉;  赵有文
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