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可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生;  杨辉
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阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生;  杨辉
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碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生;  杨辉
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