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具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  朱礼军
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立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  潘东;  赵建华
Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：335/3  |  提交时间：2016/09/12