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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tu XG;  Chen SW;  Zhao L;  Sun F;  Yu JZ;  Wang QM;  Tu, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: tuxiaog@red.semi.ac.cn;  swchen@red.semi.ac.cn;  leizhao@red.semi.ac.cn;  sun@red.semi.ac.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn;  qmwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Yang ZX;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Z (Li Z.);  Li CJ (Li C. J.);  Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. E-mail: zhengl@bnl.gov
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纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:  王占国;  陈涌海;  叶小玲
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中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:  王占国;  陈立泉;  屠海令
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P (Jin Peng);  Pan SH (Pan S. H.);  Li YG (Li Y. G.);  Zhang CZ (Zhang C. Z.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jin, P, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao J (Zhao Jie);  Hu LZ (Hu Lizhong);  Wang ZY (Wang Zhaoyang);  Sun J (Sun Jie);  Wang ZJ (Wang Zhijun);  Zhao, J, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion Electron Be, Dept Phys, Dalian 116024, Peoples R China. E-mail: jiezhao@student.dlut.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo HQ (Guo Heng-Qun);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Guo, HQ, Huaqiao Univ, Coll Informat Sci & Technol, Quanzhou 362021, Peoples R China. E-mail: hqguo@hqu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi LW (Shi Liwei);  Wang Q (Wang Qiang);  Li YG (Li Yuguo);  Xue CS (Xue Chengshan);  Zhuang HZ (Zhuang Huizhao);  Shi, LW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liweishi@semi.ac.en
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