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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
薛春来 [1]
焦春美 [1]
王永杰 [1]
潘教青 [1]
文献类型
专利 [6]
发表日期
2010 [1]
2008 [2]
2006 [2]
2002 [1]
语种
中文 [6]
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共6条,第1-6条
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
文献类型:专利
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:
渠红伟
;
郑婉华
;
刘安金
;
王 科
;
张冶金
;
彭红玲
;
陈良惠
Adobe PDF(2122Kb)
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浏览/下载:1767/262
  |  
提交时间:2010/08/12
一种光纤应变盘及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王永杰
;
李芳
;
刘育梁
Adobe PDF(623Kb)
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浏览/下载:1026/166
  |  
提交时间:2009/06/11
半导体应变弛豫材料的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
成步文
;
姚飞
;
薛春来
;
张建国
;
左玉华
;
王启明
Adobe PDF(497Kb)
  |  
收藏
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浏览/下载:1297/187
  |  
提交时间:2009/06/11
制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
潘教青
;
赵谦
;
王圩
;
朱洪亮
Adobe PDF(573Kb)
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浏览/下载:1088/173
  |  
提交时间:2009/06/11
应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
赵凤瑗
;
焦春美
;
于英仪
Adobe PDF(665Kb)
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浏览/下载:906/154
  |  
提交时间:2009/06/11
Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈振
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
袁海荣
;
王占国
Adobe PDF(593Kb)
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浏览/下载:1223/174
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提交时间:2009/06/11