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一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241700.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱峰;  李京波
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具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  朱礼军
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立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  潘东;  赵建华
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