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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
太赫兹光电导发射源与HEMT探测器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  徐建星
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yong-Zhou Xue;  Ze-Sheng Chen;  Hai-Qiao Ni;  Zhi-Chuan Niu;  De-Sheng Jiang;  Xiu-Ming Dou;  Bao-Quan Sun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xuan Qian;  Jian Ma;  HaiQiao Ni;  ZhiChuan Niu;  Yang Ji
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