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GaN基光电导开关仿真及制备研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  石岱星
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无权访问的条目 学位论文
作者:  赵捷
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含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李巍
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氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌  
GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  毕杨
Adobe PDF(3974Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1564/184  |  提交时间：2012/05/30
氮化镓  铟铝氮  二维电子气  高电子迁移率晶体管  短沟道效应  
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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