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量子输运及其在拓扑材料中的体现 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  禹言
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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  庞蜜
Adobe PDF(11997Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：820/50  |  提交时间：2014/05/28
Hgte/cdte 量子阱  Inas/gasb超晶格  Inas/gasb耦合量子阱  二维拓扑绝缘体  窄禁带半导体  电子态结构  磁光吸收谱