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| 宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 赵玲娟
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| 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘宁; 金鹏 ; 王占国
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| 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国
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| 宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李宝霞; 张靖; 赵玲娟; 王圩
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| 宽光谱自组织量子点材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240354.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 梁松; 朱洪亮; 王圩
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| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25
发明人: 姬小利; 郭金霞; 马平; 马骏; 魏同波; 伊晓燕; 王军喜; 杨富华; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭
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| 硅基宽光谱探测器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 刘智; 成步文; 何超; 李传波; 薛春来; 王启明
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