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| GaAs基1.5μm异变InAs量子点材料的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 王鹏飞
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王保柱 ; 王晓亮
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| GaAs 基1.55μm 波段InAs 自组织量子分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 吴兵朋
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 方志丹; 崔碧峰; 黄社松; 倪海桥; 邢艳辉; 牛智川
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| 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴巨; 王宝强; 朱战平; 曾一平
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| 分子束外延生长InAs／InGaAs／GaAs 长波长量子点 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者: 焦玉恒
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| GaAs基低密度量子点、量子环分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者: 黄社松
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| 半金属zb-CrAs 和稀磁半导体(Ga,Cr)As 薄膜分子束外延生长和磁性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者: 毕京锋
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| 过渡族金属掺杂稀磁半导体平均场理论研究和分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者: 郑玉宏
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| GaAs 基1.3-1.55μm GaInNAs(Sb)量子阱及激光器、探测器的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 张石勇
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