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| 半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王启元; 王俊; 王建华
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| 离子注入砷化镓吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马晓宇; 王勇刚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu LJ (Hu Liang-Jun); Chen YH (Chen Yong-Hai); Ye XL (Ye Xiao-Ling); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡良均; 陈涌海 ; 叶小玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周静涛; 朱洪亮; 程远兵; 王宝军; 王圩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 苗杉杉; 董志远; 吕小红; 邓爱红; 杨俊; 王博
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