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4H-SiC功率MOSFET研制 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  倪炜江
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhanwei Shen;   Feng Zhang ;   Member;   IEEE;   Guoguo Yan;   Zhengxin Wen;   Wanshun Zhao;   Lei Wang;   Xingfang Liu;   Guosheng Sun;   Yiping Zeng
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4H-SiC基AlN栅介质原子层沉积生长研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  陈俊
Adobe PDF(13269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：466/8  |  提交时间：2019/11/19
高压大功率碳化硅IGBT器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  温正欣
Adobe PDF(4436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1060/26  |  提交时间：2019/11/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Weijiang Ni ;   Xiaoliang Wang ;   Miaolin Xu;   Quan Wang ;   Chun Feng;   Honglin Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li
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4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  申占伟
Adobe PDF(12152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：970/58  |  提交时间：2017/06/02
4h-sic  场效应晶体管  No退火  Umosfet  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容