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| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
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| 中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gao F; Huang DD; Li JP; Liu C ; Gao, F, Shaanxi Normal Univ, Coll Phys & Informat Technol, Xian 710062, Peoples R China. 电子邮箱地址: feigao@snnu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng WQ; Qu SC; Cong GW; Wang ZG; Peng, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqpeng@semi.ac.cn
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| 1.5μm n 型调制掺杂量子阱材料和相关器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 张瑞英
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| 内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管的光电特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 曾宇昕
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙永伟; 马文全; 杨晓杰; 屈玉华; 侯识华; 江德生; 孙宝权; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李娜; 赵德刚; 刘宗顺; 朱建军; 张书明; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈维德; 陈长勇; 卞留芳
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