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基于键合工艺的Si/SiC界面特性研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  王风旋
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脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘敏
Adobe PDF(2348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：836/36  |  提交时间：2016/05/26
脉冲激光退火  Sic欧姆接触  数值模拟  接触特性