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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JL (Huang Jian-Liang);  Wei Y (Wei Yang);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Yang T (Yang Tao);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Wei, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  卫炀;  马文全;  张艳华;  曹玉莲
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