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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang L(张磊);  Ji RQ(冀瑞强);  Tian YH(田永辉);  Yang L(杨林);  Zhou P(周平);  Lu YY(卢洋洋);  Zhu WW(朱巍巍);  Liu YL(刘育梁);  Jia LX(贾连希);  Fang Q(方青);  Yu MB(余明斌)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang L(张磊);  Ji RQ(冀瑞强);  Jia LX(贾连希);  Yang L(杨林);  Zhou P(周平);  Tian YH(田永辉);  Chen P(陈平);  Lu YY(卢洋洋);  Jiang ZY(姜震宇);  Liu YL(刘育梁);  Fang Q(方青);  Yu MB(余明斌)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XY (Zhang Xinyu);  Li H (Li Hui);  Liu K (Liu Kan);  Luo J (Luo Jun);  Xie CS (Xie Changsheng);  Ji A (Ji An);  Zhang TX (Zhang Tianxu);  Zhang, XY, Huazhong Univ Sci & Technol, Wuhan Natl Lab Optoelect, Wuhan 430074, Hubei Province, Peoples R China. 电子邮箱地址: x_yzhang@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Jiayong;  Wang Xiaofeng;  Wang Xiaodong;  Ma Huili;  Cheng Kaifang;  Fan Zhongchao;  Li Yan;  Ji An;  Yang Fuhua
Adobe PDF(1126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1693/477  |  提交时间：2010/06/07
Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Ji HM;  Yang T;  Cao YL;  Ma WQ;  Cao Q;  Chen LH;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1687/328  |  提交时间：2010/03/09
Density-of-states  
Low Temperature Deposited Nano-structured Vanadium Oxide Thin Films for Uncooled Infrared Detectors 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Li GK;  Wang XD;  Liang JR;  Ji A;  Hu M;  Yang F;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Li, GK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(803Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1743/420  |  提交时间：2010/03/09
Fabrication of Nano-structured VOx Film by Low Temperature Ion Beam Sputtering and Reductive Annealing 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Wang XD;  Li GK;  Liang JR;  Ji A;  Hu M;  Yang FH;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(706Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1797/352  |  提交时间：2010/03/09
V2o5 Thin-films  
On the performance analysis and design of a novel shared-layer integrated devices using RCE-p-i-n-PD/SHBT - art. no. 67820J 会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES II, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2007
作者:  Shou-Li Z;  De-Ping X;  Ya-Li I;  Hai-Lin C;  Yin-Zhe C;  Ang M;  Ji-He L;  Jun-Hua G;  Shou-Li, Z, Zhejiang Univ Technol, Coll Informat Engn, Hangzhou 310014, Peoples R China.
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Rce- P-i-n-pd