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| h-BN的MOCVD外延及在深紫外LED中的应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 张琪
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 林辰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen, Nanhong; Ning, Honglong; Liang, Zhihao; Liu, Xianzhe; Wang, Xiaofeng; Yao, Rihui; Zhong, Jinyao; Fu, Xiao; Qiu, Tian; Peng, Junbiao
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 王蕴玉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Weijiang Li; Xiang Zhang ; Ruilin Meng ; Jianchang Yan ; Junxi Wang ; Jinmin Li; Tongbo Wei
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xianwen Liu; Changzheng Sun; Bing Xiong; Lai Wang; Jian Wang; Yanjun Han; Zhibiao Hao; Hongtao Li; Yi Luo; Jianchang Yan; Tongbo Wei; Yun Zhang; Junxi Wang
Adobe PDF(2597Kb) | 收藏 | 浏览/下载：276/1 | 提交时间：2019/11/19 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 綦成林
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 刘磊
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| AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 赵勇兵
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Algan/gan Hfet 特征导通电阻 击穿电压 增强型器件 阈值电压 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 赵云
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