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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [13]
作者
伊晓燕 [1]
文献类型
专利 [11]
期刊论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2014 [1]
语种
中文 [5]
英语 [1]
出处
ADVANCED M... [1]
CHINESE PH... [1]
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SCI [2]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song, Yuqing
;
Gao, Yaqi
;
Liu, Xiaoting
;
Ma, Jing
;
Chen, Buhang
;
Xie, Qin
;
Gao, Xin
;
Zheng, Liming
;
Zhang, Yan
;
Ding, Qingjie
;
Jia, Kaicheng
;
Sun, Luzhao
;
Wang, Wendong
;
Liu, Zhetong
;
Liu, Bingyao
;
Gao, Peng
;
Peng, Hailin
;
Wei, Tongbo
;
Lin, Li
;
Liu, Z.F.
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提交时间:2022/05/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, Y
;
Wang, G
;
Yang, HC
;
An, TL
;
Chen, MJ
;
Yu, F
;
Tao, L
;
Yang, JK
;
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Sun, LF
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浏览/下载:683/138
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提交时间:2015/03/25
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1600/264
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提交时间:2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
闫发旺
;
孙莉莉
;
张会肖
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1636/288
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提交时间:2011/08/31
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1983/288
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提交时间:2011/08/31
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1590/280
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提交时间:2011/08/31
三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1617/285
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提交时间:2011/08/31
制备微纳米柱发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人:
安铁雷
;
孙波
;
孔庆峰
;
魏同波
;
段瑞飞
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浏览/下载:710/81
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提交时间:2014/10/24
制作微纳米柱发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人:
安铁雷
;
孙波
;
孔庆峰
;
魏同波
;
段瑞飞
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浏览/下载:919/65
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提交时间:2014/10/24
在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:
赵云
;
王刚
;
孙连峰
;
魏同波
;
段瑞飞
;
伊晓燕
;
李晋闽
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浏览/下载:884/99
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提交时间:2014/11/17