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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Ding WC;  Xue CL;  Zuo YH;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Wang GL;  Guo HQ;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Stare Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhengjun@semi.ac.cn
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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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