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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2008 [7]
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发表日期:2008
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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
任芸芸
;
徐波
;
周惠英
;
刘明
;
李志刚
;
王占国
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浏览/下载:1535/234
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
金鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王智杰
;
王占国
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浏览/下载:1705/236
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备量子环结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王占国
Adobe PDF(492Kb)
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浏览/下载:1561/216
  |  
提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
王占国
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浏览/下载:1300/198
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liang S
;
Zhu HL
;
Pan JQ
;
Zhao LJ
;
Wang LF
;
Zhou F
;
Shu HY
;
Bian J
;
An X
;
Wang W
;
Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1157/262
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xing, HY
;
Fan, GH
;
Zhao, DG
;
He, M
;
Zhang, Y
;
Zhou, TM
;
Fan, GH, S China Normal Univ, Inst Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 501631, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: hy.xing@yahoo.com.cn
;
gfan@scnu.edu.cn
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浏览/下载:1082/349
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
邢海英
;
范广涵
;
赵德刚
;
何苗
;
章勇
;
周天明
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提交时间:2010/11/23