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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
张宇 [1]
陈良惠 [1]
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发表日期
2008 [4]
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发表日期:2008
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用于电吸收调制激光器封装用的热沉
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
侯广辉
;
刘宇
;
祝宁华
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提交时间:2009/06/11
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
;
Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(933Kb)
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提交时间:2010/03/09
Soi
Mosfet
无权访问的条目
期刊论文
作者:
肖雪芳
;
杨国华
;
归强
;
王国宏
;
马晓宇
;
陈朝
;
陈良惠
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
李欢
;
牛萍娟
;
杨广华
;
李俊一
;
张宇
;
常旭
;
张秀乐
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提交时间:2010/11/23