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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
作者
徐波 [12]
金鹏 [4]
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叶小玲 [1]
文献类型
专利 [7]
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [12]
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发表日期:2008
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提交时间升序
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题名升序
题名降序
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
任芸芸
;
徐波
;
周惠英
;
刘明
;
李志刚
;
王占国
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浏览/下载:1535/234
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提交时间:2009/06/11
量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王志成
;
徐波
;
刘峰奇
;
陈涌海
;
王占国
;
石礼伟
;
梁凌燕
Adobe PDF(568Kb)
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收藏
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浏览/下载:1734/222
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
金鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王智杰
;
王占国
Adobe PDF(527Kb)
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浏览/下载:1705/236
  |  
提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备量子环结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王占国
Adobe PDF(492Kb)
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收藏
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浏览/下载:1561/216
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提交时间:2009/06/11
GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
梁凌燕
;
叶小玲
;
徐波
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(750Kb)
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浏览/下载:1672/208
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提交时间:2009/06/11
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵超
;
徐波
;
陈涌海
;
金鹏
;
王占国
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浏览/下载:1463/225
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提交时间:2009/06/11
一种量子点材料结构及其生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
焦玉恒
;
吴巨
;
徐波
;
金鹏
;
王占国
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浏览/下载:1444/191
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang ZC
;
Chen YH
;
Xu B
;
Liu FQ
;
Shi LW
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Wang, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzc@semi.ac.cn
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浏览/下载:1251/309
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang ZC
;
Xu B
;
Chen YH
;
Shi LW
;
Liang ZM
;
Wang ZG
;
Wang, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzc@semi.ac.cn
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浏览/下载:1161/232
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提交时间:2010/03/08
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Chen YH
;
Tang CH
;
Xu B
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Inas