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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
李成明 [4]
文献类型
专利 [4]
期刊论文 [4]
发表日期
2007 [8]
语种
中文 [4]
英语 [4]
出处
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JOURNAL OF... [1]
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共8条,第1-8条
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发表日期:2007
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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第一作者单位
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80
85
90
95
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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
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浏览/下载:1325/171
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提交时间:2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
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浏览/下载:1382/176
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提交时间:2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
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浏览/下载:1411/193
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提交时间:2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
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浏览/下载:1183/158
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang PF (Zhang, P. F.)
;
Liu XL (Liu, X. L.)
;
Wei HY (Wei, H. Y.)
;
Fan HB (Fan, H. B.)
;
Liang ZM (Liang, Z. M.)
;
Jin P (Jin, P.)
;
Yang SY (Yang, S. Y.)
;
Jiao CM (Jiao, C. M.)
;
Zhu QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang ZG (Wang, Z. G.)
;
Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1064/319
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang RQ (Zhang Riqing)
;
Zhang PF (Zhang Panfeng)
;
Kang TT (Kang Tingting)
;
Fan HB (Fan Haibo)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Yang SY (Yang Shaoyan)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
;
Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn
;
xlliu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1304/477
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HB (Wang Huaibing)
;
Liu JP (Liu Jianping)
;
Niu NH (Niu Nanhui)
;
Shen GD (Shen Guangdi)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Wang, HB, Beijing Univ Technol, Beijing Optoelect Technol Lab, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: wanghb328@gmail.com
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浏览/下载:1113/502
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan HB (Fan Hai-Bo)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhang PF (Zhang Pan-Feng)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Jiao CM (Jiao Chun-Mei)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn
;
sh-yyang@semi.ac.cn
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浏览/下载:7387/2875
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提交时间:2010/03/29