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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [18]
作者
江德生 [2]
谭平恒 [1]
杨晓红 [1]
文献类型
会议论文 [18]
发表日期
2006 [2]
2004 [2]
2003 [2]
2002 [2]
2001 [3]
2000 [2]
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1997 IEEE ... [1]
2004 7TH I... [1]
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文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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作者升序
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Corrugated surfaces formed on GaAs (331)a substrates: The template for laterally ordered InGaAs nanowires
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Gong, Z (Gong, Zheng)
;
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
;
Gong, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattice & Microstruct, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Atomic Hydrogen
Molecular Beam Epitaxy
Step Arrays
Molecular-beam Epitaxy
Atomic-hydrogen
Vicinal Surface
Quantum Dots
Growth
Temperature
Irradiation
Mechanism
Mbe
Light-induced changes in diphasic nanocrystalline silicon films and solar cells
会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, Lisbon, PORTUGAL, SEP 04-09, 2005
作者:
Hao, HY (Hao, Huiying)
;
Liao, XB (Liao, Xianbo)
;
Zeng, XB (Zeng, Xiangbo)
;
Diao, HW (Diao, Hongwei)
;
Xu, Y (Xu, Ying)
;
Kong, GL (Kong, Guanglin)
;
Hao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hyhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Silicon
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order
会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:
Zhang S
;
Liao X
;
Xu Y
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Kong G
;
Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon Films
Scattering
Absorption
Densities
Hydrogen
Improved diphasic nc-si/a-si : H I-layer materials using PECVD
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Hao, HY
;
Zhang, SB
;
Xu, YY
;
Zeng, XB
;
Diao, HW
;
Kong, GL
;
Liao, XB
;
Hao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Condensed Matter Phys, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1396/230
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提交时间:2010/03/29
Open-circuit Voltage
Silicon Solar-cells
Amorphous-silicon
Absorption
Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang SB
;
Liao XB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Luo MC
;
Kong G
;
Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Polymorphous Silicon
Light-scattering
Thin-films
Si
Microcrystallinity
Absorption
States
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Sci Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Neutron Irradiation
Annealing
Defects In Silicon
Spectra
Characterization of diphasic nc-Si/a-Si : H thin films and solar cells
会议论文
CONFERENCE RECORD OF THE TWENTY-NINTH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE 2002, NEW ORLEANS, LA, MAY 19-24, 2002
作者:
Zhang SB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Wang YQ
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Wang WJ
;
Kong GL
;
Liao XB
;
Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Silicon
Raman
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
;
Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
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浏览/下载:1711/289
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提交时间:2010/11/15
Indium Phosphide
Semi-insulating
Annealing
Picts
Photoluminescence
Semiinsulating Inp
Indium-phosphide
Fe
Photoluminescence
Temperature
Observation of the resonant Raman behavior of individual single-walled carbon nanotubes
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87, OSAKA, JAPAN, SEP 17-22, 2000
作者:
Tan PH
;
Tang Y
;
Hu CY
;
Li F
;
Bai S
;
Cheng HM
;
You JQ
;
Tan PH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Electric-arc Technique
Large-scale
Scattering
Spectra
Stokes
Modes
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation